BSC030N03MSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC030N03MSGATMA1 von Infineon und BSC030N03LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,43 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
MSL-Level — 1
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

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