BSC034N06NSATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC034N06NSATMA1 von Infineon und BSC014N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC034N06NSATMA1 BSC014N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,41
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55°C to +150°C
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 115 W
Pin-Anzahl — 8
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern