BSC034N06NSATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC034N06NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC014N04LSTATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC034N06NSATMA1 | BSC014N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.65 | $0.41 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (N-Channel Trench) |
| 패키지 | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC014N04LSTATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V | — | 1.45 mΩ |
| R DS(on) typical @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 115 W |
| 핀 수 | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |