BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC036NE7NS3GATMA1 von Infineon und BSC093N15NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC036NE7NS3GATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status ROHS3 Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Halogenfrei — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datenblätter & Ressourcen

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