BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC093N15NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC040N08NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Halogenfrei — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern