BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC040N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC040N08NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Sans halogène — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Fiches techniques et ressources

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