BSC0502NSIATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0502NSIATMA1 von Infineon und BSC0921NDIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0502NSIATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,85 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 25V (N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
MSL-Level — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

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