BSC0502NSIATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0502NSIATMA1 par Infineon et BSC0921NDIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0502NSIATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 25V (N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Niveau MSL — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Fiches techniques et ressources

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