BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC015NE2LS5IATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC052N08NS5ATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 trench
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Pin-Anzahl — 8
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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