BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC077N12NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC052N08NS5ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V 2.5 V
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
Pin-Anzahl — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

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