BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC052N08NS5ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V 2.5 V
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
Nombre de broches — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Fiches techniques et ressources

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