BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC0902NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC052N08NS5ATMA1 BSC0902NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes

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