BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC052N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC0902NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC052N08NS5ATMA1 BSC0902NSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,52 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену