BSC054N04NSGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC054N04NSGATMA1 von Infineon und ISC058N04NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC054N04NSGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

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