BSC054N04NSGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC054N04NSGATMA1 メーカー: Infineon および ISC058N04NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC054N04NSGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +175C
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

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