BSC066N06NSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC066N06NSATMA1 von Infineon und IQDH35N03LM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC066N06NSATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $1,45
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Halogenfrei — Yes
Channel Type — N-Channel

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