BSC066N06NSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon e IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC066N06NSATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $1,45
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Livre de halogênio — Yes
Channel Type — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação