BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC070N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC027N10NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC070N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $1,10
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

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