BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC070N10NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC027N10NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC070N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 NRND
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.68 $1.10
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
동작 접합 온도 범위 -55 C to +150 C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청