BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC070N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC190N15NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC070N10NS5ATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,98
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C

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