BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC074N15NS5ATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC074N15NS5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,82
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Datenblätter & Ressourcen

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