BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon y BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC074N15NS5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,82
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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