BSC076N04NDATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N04NDATMA1 von Infineon und IAUC60N04S6L030HATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N04NDATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) 2 V
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Part Series — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Gehäuse — PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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