BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon und BSC084P03NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N06NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,24
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 58 nC @ VGS = -10 V
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 69 W
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Compliant —
Halogenfrei Yes (per Infineon product page) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
RoHS-Status — Compliant

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