BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC060P03NS3EGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC084P03NS3GATMA1 von Infineon und BSC060P03NS3EGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC084P03NS3GATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,24 $0,38
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A 100 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 83 W
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55°C to +150°C
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Technology — OptiMOS™ P-channel Trench

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