BSC0902NSATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0902NSATMA1 von Infineon und BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0902NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,15
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

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