BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC093N15NS5ATMA1 von Infineon und BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC093N15NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,83 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

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