BSC097N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC097N06NSATMA1 von Infineon und BSC016N06NSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC097N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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