BSC097N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC097N06NSATMA1 par Infineon et BSC016N06NSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC097N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Boîtier — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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