BSC0993NDATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0993NDATMA1 von Infineon und IAUZ40N06S5N050ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0993NDATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Gehäuse PG-TISON-8 PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode Enhancement —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55C to +175C
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Pin-Anzahl — 8
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

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