BSC0993NDATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N06S5N050ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0993NDATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.32 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
パッケージ PG-TISON-8 PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode Enhancement —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +175C
ESD Protection Yes (integrated) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
ピン数 — 8
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

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