BSC100N10NSFGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC100N10NSFGATMA1 von Infineon und BSZ150N10LS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC100N10NSFGATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,49 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]

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