BSC100N10NSFGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC100N10NSFGATMA1 メーカー: Infineon および BSZ150N10LS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | BSC100N10NSFGATMA1 | BSZ150N10LS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.49 | $0.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSZ150N10LS3GATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 3 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | — | 2.1 W |
| 消費電力（TC=25°C） | — | 63 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Lead-Free / Reflow | — | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |