BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC117N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC023N08NS5SCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC117N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C

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