BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC117N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC023N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ 生産中
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BSC023N08NS5SCATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC117N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.46 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C

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