BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSC12DN20NS3GATMA1 von Infineon und BSC109N10NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,61 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | 78 W |
| Gehäuse | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 26 nC |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 3 |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| MSL-Level | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Pin-Anzahl | 8 | 8 |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |