BSC146N10LS5ATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC146N10LS5ATMA1 von Infineon und BSZ150N10LS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Aktiv
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BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,65
Technology OptiMOS 5 (logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (TJ max) —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

Datenblätter & Ressourcen

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