BSC146N10LS5ATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC146N10LS5ATMA1 par Infineon et BSZ150N10LS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC146N10LS5ATMA1 | BSZ150N10LS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,65 |
| Technology | OptiMOS 5 (logic-level) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 14.6 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (typ. ~1.7 V) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ max) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ150N10LS3GATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | — | 2.1 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 63 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Lead-Free / Reflow | — | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) |