BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC190N15NS3GATMA1 von Infineon und BSC070N10NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC190N15NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,68
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

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