BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon et BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC190N15NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,68
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fiches techniques et ressources

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