BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD214SNH6327XTSA1 von Infineon und BSP135H6906XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD214SNH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,27 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Gehäuse SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead Plating Pb-free —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Pin-Anzahl — 4 (3 leads + drain tab)
Lead-Free — Yes

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