BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6906XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSD214SNH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Encapsulamento SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Contagem de pinos — 4 (3 leads + drain tab)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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