BSL207SPH6327XTSA1 vs IRF7205TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL207SPH6327XTSA1 von Infineon und IRF7205TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL207SPH6327XTSA1 IRF7205TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,33 $0,18
FET Type P-Channel P-Channel MOSFET
Technology MOSFET (Metal Oxide) IR HEXFET (4th generation)
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gehäuse TSOP-6 (PG-TSOP6-6) SO-8 (8-SO)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant —
Pin-Anzahl 6 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Verlustleistung (TC=25°C) — 2.5 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

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