BSL207SPH6327XTSA1 vs IRF7205TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSL207SPH6327XTSA1 por Infineon e IRF7205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSL207SPH6327XTSA1 | IRF7205TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,33 | $0,18 |
| FET Type | P-Channel | P-Channel MOSFET |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | IR HEXFET (4th generation) |
| Drain to Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 6 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W (Ta) | — |
| RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] | — |
| RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Encapsulamento | TSOP-6 (PG-TSOP6-6) | SO-8 (8-SO) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Series | OptiMOS™ | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Contagem de pinos | 6 | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | -4.6 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 70 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | — | 130 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 2.5 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |