BSL316CH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL316CH6327XTSA1 von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL316CH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gehäuse PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET —
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Pin-Anzahl 6 —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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