BSL316CH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSL316CH6327XTSA1 par Infineon et BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSL316CH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Boîtier PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET —
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Nombre de broches 6 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Type de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier / Format — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Nombre de broches — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fiches techniques et ressources

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