BSO150N03MDGXUMA1 vs BSC0902NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSO150N03MDGXUMA1 von Infineon und BSC0902NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSO150N03MDGXUMA1 BSC0902NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,37 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C (Tj)
Gehäuse PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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