BSP129H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP129H6906XTSA1 von Infineon und BSP129H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP129H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 functional + 1 tab (4 leads) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ max] —
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Betriebstemperatur — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Datenblätter & Ressourcen

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