BSP129H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6906XTSA1 por Infineon e BSP129H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 functional + 1 tab (4 leads) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: TJ max] —
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Fichas técnicas e recursos

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