BSR315PH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSR315PH6327XTSA1 von Infineon und BSS606NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSR315PH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (TJ) —
Gehäuse PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT-89 (TO-243AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Transistortyp — N-Channel MOSFET
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Qualification — Automotive (per family page)
Lead-Free — Yes
MSL-Level — 1 (per SOT-89 family standard)
Reel Quantity — 1000 pcs

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